光刻机是半导体制造的核心设备，也是目前全球最先进的高科技产品之一。由于光刻机的技术门槛极高，目前全球只有荷兰的阿斯麦、日本的佳能和新光等几家企业能够生产，而且主要被美国控制。因此，中国作为世界上最大的半导体消费国和第二大半导体生产国，一直致力于自主研发和制造光刻机，以打破美国的技术封锁和垄断。
2019年11月，中国科学院院士、中科院微电子所所长陈大年在接受媒体采访时表示，中国有望在3年内实现28纳米以下的光刻机的自主研发和制造。他说：“我们现在已经有了28纳米的光刻机，我们正在做14纳米、7纳米甚至更低的光刻机。我们有信心在3年内实现这个目标。”这一消息引起了国内外的广泛关注和期待。
然而，时至今日，已经过去了两年多的时间，中国的光刻机进展如何呢？是否还有希望实现陈大年院士所说的3年目标呢？事实上，中国的光刻机并没有停止研发和制造，而是在不断取得新的突破和进展。原因有以下几点：
首先，中国已经成功研发出了90纳米、65纳米、55纳米、45纳米、28纳米等多个节点的光刻机，并且已经开始量产和出口。这些光刻机虽然不是最先进的，但是已经能够满足部分国内外客户的需求，例如汽车芯片、物联网芯片、安防芯片等。据统计，2022年，中国自主研发的光刻机占国内市场份额达到了10%，占全球市场份额达到了3%。
其次，中国正在加快研发14纳米、7纳米甚至更低节点的光刻机，并且已经取得了重要进展。例如，在2021年10月，中科院微电子所宣布成功研制出了14纳米极紫外（EUV）光源，并且已经开始进行EUV光刻机的集成测试；在2021年12月，中科院微电子所又宣布成功研制出了7纳米极紫外（EUV）光源，并且已经开始进行EUV光刻机的集成测试。这些成果表明，中国在EUV技术方面已经具备了一定的基础和能力。
最后，中国正在加强与国际合作伙伴的交流和合作，在克服技术难题和突破技术封锁方面得到了一些支持和帮助。例如，在2020年9月，中国与荷兰的阿斯麦签署了一份合作协议，阿斯麦将向中国提供一些光刻机的零部件和技术服务；在2021年8月，中国与日本的新光签署了一份合作协议，新光将向中国提供一些光刻机的零部件和技术服务。这些合作协议虽然受到了美国的干扰和阻挠，但是并没有完全中断，而是在一定程度上促进了中国光刻机的发展。
事实上，中国光刻机在过去两年多的时间里，并没有停滞不前，而是在不断取得新的突破和进展。虽然中国光刻机还没有达到世界最先进水平，但是已经具备了一定的自主研发和制造能力，并且有望在不久的将来实现更高节点的光刻机。因此，我们没有必要对中国光刻机失去信心和希望，而应该更加关注中国光刻机的发展和成就。